近日，科技部公布國家重點研發(fā)計劃項目評審立項結(jié)果。我校電子與信息工程學(xué)院趙曉錦教授主持申報的課題“三維RRAM器件電路異質(zhì)集成技術(shù)研究”獲得立項資助，課題獲批中央財政經(jīng)費326萬元。該課題隸屬于“微納電子技術(shù)”重點專項中的共性關(guān)鍵技術(shù)類項目“功能融合型三維堆疊RRAM集成技術(shù)”。
該課題由深圳大學(xué)牽頭，中國科學(xué)院微電子研究所和北京理工大學(xué)為課題參與單位。本課題針對三維RRAM存儲陣列與其CMOS外圍電路在器件級和電路級的融合協(xié)同設(shè)計問題，RRAM-CMOS芯片級垂直鍵合工藝中廣泛存在的熱膨脹系數(shù)不匹配、應(yīng)力集中、翹曲以及鍵合對位精度、鍵合率等問題以及RRAM-CMOS異質(zhì)集成后三維堆疊微系統(tǒng)芯片的可測性問題，重點開展三維RRAM器件和CMOS外圍電路的芯片級異質(zhì)集成關(guān)鍵技術(shù)研究，開發(fā)適合規(guī)模量產(chǎn)的三維RRAM器件電路異質(zhì)集成專用設(shè)計方法與工藝技術(shù)。
國家重點研發(fā)計劃“微納電子技術(shù)”重點專項的總體目標(biāo)是：抓住微納電子技術(shù)的重大變革機(jī)遇，聚焦集成度、能效和設(shè)計效率三大瓶頸問題，重點突破微納電子技術(shù)領(lǐng)域的前沿基礎(chǔ)問題和關(guān)鍵共性技術(shù)，通過新器件、新方法、新電路和新集成的多維協(xié)同創(chuàng)新，形成一批具有世界先進(jìn)水平的創(chuàng)新成果，通過關(guān)鍵核心技術(shù)突破帶動相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的全面進(jìn)展，支撐戰(zhàn)略性新應(yīng)用。隨著數(shù)字技術(shù)與網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的深入融合，數(shù)據(jù)正呈指數(shù)型增長，而以5G、大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用為標(biāo)志的數(shù)字經(jīng)濟(jì)，需要一套完整的數(shù)字化基礎(chǔ)設(shè)施（即“新基建”）作為支撐，對我國優(yōu)化經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)、支撐新型服務(wù)業(yè)和新經(jīng)濟(jì)、助推中國經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型升級、迎接更大挑戰(zhàn)至關(guān)重要。因此海量數(shù)據(jù)的存儲計算等挑戰(zhàn)，對集成電路新材料、新器件、新架構(gòu)的需求顯得格外迫切。通過本課題的實施和創(chuàng)新，預(yù)期可以產(chǎn)出三維阻變存儲器件電路異質(zhì)集成技術(shù)相關(guān)的一系列自主核心知識產(chǎn)權(quán)成果，這些將為我國在新型存儲技術(shù)領(lǐng)域提供技術(shù)儲備，并起到支撐和引領(lǐng)作用。此外，通過本課題的實施，除了在新型存儲技術(shù)以及功能融合領(lǐng)域獲得一批創(chuàng)新性研究成果以外，還將培養(yǎng)并建立一支匯集基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究和技術(shù)開發(fā)等方面為一體的具有國際領(lǐng)先水平的研究隊伍，并成為新型三維存儲領(lǐng)域可持續(xù)發(fā)展的中堅力量。課題實施過程中也將會加強(qiáng)和深化產(chǎn)業(yè)與高校的交流合作與技術(shù)轉(zhuǎn)化，并促進(jìn)工程技術(shù)人才的培養(yǎng)，確保長期可持續(xù)的產(chǎn)出核心自主知識產(chǎn)權(quán)和原創(chuàng)技術(shù)，促進(jìn)我國“產(chǎn)學(xué)研”創(chuàng)新人才培養(yǎng)模式發(fā)展。
